Zinc Blende Structure (어현경,박담비)

Zinc Blende Sturcture를 갖는 물질들로는
AgI, AlAs, AlP, AlSb, BAs, BN, BP, BeS, BeSe, BeTe, CdS, CuBr, CuCl, CuF, CuI, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, INAs, InP, MnS, MnSe, SiC, ZnS, ZnSe, ZnTe 등이 있다.


이 중에서 GaAs물질을 조사해 보았다.
GaAs는 왼쪽 그림처럼 구조를 형성하고 있다.
이는 Zinc Blende구조임을 알 수 있다.

#GaAs의 특징
1.GaAs는 약 Si에 비해 전자 이동도가 6배정도 빠르다.
2.GaAs는 1.424eV, Si은 1.1eV의 band gap으로 Si보다 GaAs가 더 빠르다는 사실을 알 수 있다.
3.parasitic capacitance이 감소되어 소자의 성능을 높일 수 있는 특징이 있다.
4.위 특성들로 GaAs는 높은 주파수, 높은 온도에 사용하기에 이상적이다.


#GaAs의 용도
1.높은 주파수, 온도 등의 극한 환경인 항공우주와 군대 응용분야에서 사용한다.
2.또한 휴대폰과 여러 다른 무선 통신분야에서도 사용 된다.
3.Optoelectronic(광전자 소자) 장치에도 사용된다.



#그 밖의 GaAs의 간략정보

GaAs의 격자상수: a=5.653Å

#CdTe에대하여..

CdTe는 ZnS,CdSe,HgTe와 같은 IIB-VIA족 화합물 중에서도 특이하다. 높은 원자번호, 낮은 용융온도, 큰 격자상수와 이온성을 가진다.

전자적으로 CdTe는 산과 염기의 두가지 성질을 가진 반도체적 특성을 가지는데 이러한 진성적, 외인적 도핑으로 CdTe에 n과 p-type을 만들 수 있다. CdTe를 p-type으로 CdS를 n-type으로 쓰기도한다.

이러한 요소들은 지상 태양광설비에 대하여 이상적인 광학적 밴드갭과 흡수효율을 제공하며 박막에 대한 증착과 조절이 가능하게 한다.

#그 밖의 CdTe의 간략 정보

CdTe의 격자상수: a=6.477Å

#우리조가 만든 구조 모형

GaAs의 격자상수: a=5.653Å

CdTe의 격자상수: a=6.477Å

GaAs의 부피=27221.7998*10^(-30) (m^3)
CdTe의 부피=40945.06559 *10^(-30) (m^3)