트랜지스터 [ transistor ]

1. 트랜지스터의 개요
- 트랜지스터는 1947년 미국 벨연구소의 윌리엄 쇼클리(Wiliam Shockley), 존 바딘(John Bardeen), 월터 브래튼(Walter Brattain)이 처음으로 발명하였다. 보통 트랜지스터는 접합형 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor: BJT)를 의미하며 전기장 효과를 이용한 전기장 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET)가 있다.
- 트랜지스터는 기본적으로는 전류를 증폭할 수 있는 부품이다. 아날로그 회로에서는 매우 많은 종류의 트랜지스터가 사용되지만 디지털 회로에서는 그다지 많은 종류는 사용하지 않는다. 디지털 회로에서는 ON 아니면 OFF의 2차 신호를 취급하기 때문에 트랜지스터의 증폭 특성에 대한 차이는 별로 문제가 되지 않는다. 디지털 회로에서 트랜지스터를 사용하는 경우는 릴레이라고 하는 전자석 스위치를 동작시킬 때나 (릴레이는 구동전류를 많이 필요로 하기 때문에 IC만으로는 감당하기 어려운 경우가 있음), 발광 다이오드를 제어하는 경우 등이다. 트랜지스터는 반도체의 조합에 따라 크게 PNP타입과 NPN타입이 있다. (PNP타입과 NPN타입은 서로 전류의 방향이 다름)


2. 트랜지스터의 구조와 종류



- 트랜지스터는 규소나 저마늄으로 만들어진 P형반도체와 N형반도체를 세 개의 층으로 접합하여 만들어진다. E(emitter)로 표시되는 에미터에서는 총 전류가 흐르게 되고 얇은 막으로 된 베이스(B; base)가 전류흐름을 제어하며 증폭된 신호가 컬렉터(C; collector)로 흐르게 된다. 접합의 순서에 따라 PNP형 혹은 NPN형 트랜지스터라 명명한다. NPN형인 경우 전류는 에미터 쪽으로 흐르고 PNP형인 경우 에미터에서 나가는 방향으로 전류가 흐른다. 이를 전자회로의 기호표기에서 전류방향을 화살표로 나타낸다.


3. 트랜지스터의 특징
- 트랜지스터의 전원 연결은 에미터 쪽에 그려진 화살표 방향으로 전류의 방향이 되도록 연결한다. 기본적으로 PN접합이 양쪽에 있는 형태이므로 다이오드에서와 같이 접합면에서 전자의 확산에 의해 공핍층이 생기고 결과로 공핍층 전기장이 생겨 더 이상의 전자의 확산을 막게 된다.



- (a)에서 처럼 베이스와 에미터 간에 전원이 없이 연결된 상태에서는 베이스와 에미터가 같은 전위이므로 전류가 흐르지 않는다. 베이스 간에 전원에 의한 전기장 방향(+에서 -전압방향)이 공핍층 전기장 방향과 같은 역방향 바이어스이므로 전류가 흐르지 않는다. 그런데 (b)와 같이 베이스와 에미터 간에 공핍층 전기장에 반대방향의 순방향 전원을 연결하면 전자가 움직이게 된다.
- 한편, 베이스와 컬렉터 사이에는 공핍층과 같은 방향의 역방향 전기장이 형성되어 컬렉터 부분의 N형 반도체의 다수 캐리어인 전자는 움직이지 않게 된다. 그런데 베이스와 에미터 간의 순방향 전원에 의해 이동된 전자에 대해서는 베이스와 컬렉터 사이의 전기장 방향이 순방향 바이어스가 되어 에미터에서 이동한 전자들이 컬렉터 쪽으로 흐르게 된다. 참고로 전자의 이동방향은 전기장방향의 역방향이며 전류방향의 역방향이다. 이때 컬렉터로 흐르는 전류는 베이스로 흐르는 전류에 비해 증폭된 형태로 나타나게 되므로 베이스에 작은 신호가 컬렉터에 증폭되어 나타나 트랜지스터는 증폭기로 사용된다.


4. 트랜지스터의 역할
- 증폭과 스위칭.
- 라디오 안에 들어있는 트랜지스터를 예로 들면, 공중을 통해 전해진 매우 미약한 신호의 강약을 확대(증폭)하여 스피커를 울리는 것이다. 이러한 역할을 하는 것이 트랜지스터의 증폭 작용이다. 입력 신호의 파형을 바꾸지 않고 그 전압과 전류의 크기만을 확대하는 것이다. 이러한 역할은 아날로그 신호일 경우이며, 컴퓨터 등에서 사용되는 디지털 신호의 경우, 트랜지스터는 0과 1을 전환하는 스위치의 역할을 한다. IC 와 LSI 는 결국 트랜지스터의 집합이며, 그 역할의 기본이 되는 것은 트랜지스터의 증폭 작용이다.


5. 트랜지스터의 증폭 원리
- 트랜지스터는 게르마늄이나 규소(실리콘)의 단결정 소편에 불순물을 첨가하되 불순물의 종류가 p형과 n형이 있기 때문에 pnp의 순서로 3층 구조로 만들 때도 있는데, 각 층에서 단자(端子)를 내기 때문에 3단자의 소자이다.
- pnp의 경우, 왼쪽단자와 연결된 p층에서 양공(陽孔, hole:격자 질서상 있어야 할 곳에 전자가 없는 상태, 정공이라고도 함)을 중간층(베이스층)에 방출하는데, 이 방출기능으로 해서 왼쪽 부분의 이름이 이미터이며, 중간층 베이스를 통과하여 가장 오른쪽 p형 부분에서 양공들이 수집되기 때문에 가장 오른쪽 부분을 컬렉터라고 한다.



- npn형 트랜지스터의 경우는 이미터로부터 컬렉터로 가는 것이 양공이 아니고 전자가 되어 컬렉터에 양전위를 인가하여야 한다(pnp의 경우는 음전위). pnp형 반도체의 조합은 서로 마주보고 있는 다이오드의 조합과 등가(等價)이다. 이 조합에 그림과 같이 전지(電池)를 결선해 주면 이미터-베이스 간에는 순방향, 베이스-컬렉터 간에는 역방향의 전압이 걸리게 된다. 이미터-베이스 간은 순방향이기 때문에 전기의 주된 운반체(carrier)인 양공이 이미터에서 베이스에 흘러들어가게 된다.
- 만일 베이스의 두께가 충분히 얇아 전자와의 재결합이 안 되는 양공이 대부분이라면, 이미터에서의 전류는 컬렉터의 전류와 거의 같아지는데, 이때 컬렉터에는 수~수십 V가 걸려 있기 때문에 쉽게 끌려가게 된다. 베이스층에서 전자와 결합된(극히 일부) 양공이 베이스 전류로 흐르게 되는데 작은 베이스전류로 큰 컬렉터전류를 지배할 수가 있다.
- 베이스에서 재결합하는 양공에 해당하는 전류와 컬렉터에 제대로 도달하는 양공전류와의 비(比)를 그 트랜지스터의 전류 증폭도라고 말하는데, 보통 제품에 있어서는 10~200이다. 컬렉터측에 적당한 부하저항을 결선하면 30~200의 전압증폭도를 얻을 수 있다. 트랜지스터는 증폭작용 외에도 변조·복조·발진 등도 행할 수 있으며, 클립·슬라이스 등의 파형정형(波型整形)이나 스위칭은 진공관보다 더 성능이 좋다.

Topological insulator (이은지)

[Introduction]
▶ Insulator : A material which resists the flow of electric current
▶ Example :

[Theory]
▶ 이러한 Topological insulator의 원리를 이해하고 싶다면 먼저 알아둬야할 몇 가지 개념들이 있다.
1)Classical Hall effect

: 여기서 보통 홀효과라고 하면 홀을 hole로 생각하는 사람들이 있는데 그것은 오개념이다.(19세기 마지막에 홀이란 사람이 생각해냈다.) 이 효과에 대해 자세히 알아보려면 위에 그림을 참조하면 더 쉽게 이해가 가능하다. 홀 효과는 금속이나 반도체의 양단에 전류를 흘리고, 이에 수직되게 자기장을 걸어주면 Lorentz force 를 받아서(Lorentz force에 관한 공식은 위식을 참조하거나 고전역학 복습요망)전류와 자기장에 수직한 방향의 양단이 전하를 띠게 되고, 내부에는 전기장이 형성되는데 이를 홀 효과라고 한다.

2) Integer quantum Hall effect (von Klitzing 1980)

: 양자홀효과는 일반적인 홀효과와는 약간의 차이가 있다.
홀 효과에서는 홀 전도율이 자기장에 반비례해서 변화하는 데 대해 양자홀효과는 이것이 e2/h의 정수배인 곳에서 평탄한 계단 모양이 된다.(아래 식 참조) 이것이 양자홀 효과이다.

양자홀효과는 이 때 걸어주는 자기장이 엄청 커질 때, 전자는 원운동을 하게 된다.(아래 그림 참조)


3) Landau Level
: Landau level(란다우준위)는 균일한 자기장 내의 전자가 자기장에 수직인 평면 내에서는 원운동(사이클로트론운동)을 하여 양자화되어 에너지준위를 갖는다. 그 에너지 준위 관련 식은 다음과 같다.

이 때 생기는 에너지 준위를 그래프로 살펴보면 아래 그림과 같다.


4) Edge state
: 위에서 알아본 양자홀효과로 전자들이 Landau level로 원운동하는 것을 알게 되었으면, 다음에 이해해야할 개념이 바로 Edge state이다.

위 그림을 참조하여 이해하면, 전자들의 원운동들이 결국은 가장자리를 따라 돌아가는 Edge state를 만든다는 것으로 이해할 수 있다.

▶위의 개념들을 이해했다면, 이제 본격적으로 Topological insulator에 대해 알아보자.
◆Topological insulator?
▷A topological insulator is a band insulator which is characterized by a topological number and which has gapless excitations at its boundaries.
▷더 쉽게 설명하자면, 전자상태 구조가 다름에 따라 일반적으로 재료는 "금속"과 "절연체" 두 가지 유형으로 나누어진다. 하지만 topological insulator는 하나의 새로운 양자 물질 상태이고 일반적인 "금속"과 "절연체"와는 다르다. 이런 물질의 electronic state는 energy gap이 있는 절연체이고 표면은 에너지 갭이 없는 금속상태이다. 위의 양자홀효과로 인한 edge state를 이해했다면 그 edge state가 결국 전자가 가장자리를 따라 돌아가므로 metallic edge state를 형성하는데 이것을 이차원에서 본다면 topological insulator는 3차원으로 확장된 것이다. 아래의 그림을 참조하라.

▷Topological insulator의 표면 금속 상태는 재료의 전자상태의 기하학적 구조, 그의 대칭성에 의하여 결정되지 표면의 구체적인 구조와 관계없다. 이러한 표면 금속 상태는 대칭성에 의하여 결정되어 그의 존재는 매우 안정적이다.
▷이 insulator의 기본 성질은 "양자역학"과 "상대론"이 공동으로 작용한 결과이고, spin-orbit coupling작용으로 표면에서 에너지 갭이 없는 스핀 표면 전자상태를 생성시킨다. 이러한 표면 상태(surface state)는 효과 질량이 없는 2차원 전자가스(Two-Dimensional Electron Gas, 예로 전계효과 트랜지스터에서 광범위하게 사용되는 2차원 전자가스)를 형성하고, 이는 dirac`s equation으로 묘사할 수 있으며 Schrdinger wave equation을 사용할 수 없다.

[Summary]
여러 개념들을 먼저 이해하고, topological insulator의 원리를 이해해보았다. 결국에 topological insulator는 전류가 표면에서는 잘 흐르지만, 벌크를 통해서는 흐르지 않는 특이함을 갖고 있다는 사실을 알게 되었다. 양자홀효과에 의해 metallic edge state가 형성되기 때문에 이러한 특이함을 보이는 것이다.
Zhang Haijun, Dai Xi, Fang Zhong 연구원은 미국 스탠퍼드대학의 Zhang Shousheng 연구팀과 협력하여 새로운 강한 topological insulator 재료 시스템(Bi2Se3, Bi2Te3 and Sb2Te3)을 제기하였다. 연구팀은 이론과 계산을 통하여 이러한 재료가 강한 topological insulator가 되는 물리적인 메커니즘을 연구하였고, Dirac 점 위의 Hamiltonian를 제기하였고, 또한 APRES 전자 스펙트럼을 계산하였다. 이러한 topological insulator의 재료는 순수한 화학상태를 가지고 있어 안정적이고 쉽게 합성된다. 이러한 중요한 특징은 이 insulator 미래의 전자 기술 발전에서 중요한 응용 전망이 있다는 것을 보여주었다.

[References]
J.E.Avron, D.Osadchy, and R.Seiler , A topological look at the Quantum Hall Effect
Xiao-Liang Qi and Shou-Cheng Zhang, The quantum spin hall effect and topological insulator
http://kr.blog.yahoo.com/spurgeon1214/1263002
http://minitp.or.kr/minitp/new_tech/view_all.jsp?cPage=1&gubun=null&menu=5&no=153812&idx=146260&left=1
http://en.wikipedia.org

Angle resolved photoemission spectroscopy

Angle resolved photoemissionspectroscopy는 각도분해 광전자분광법이라고도 말한다.

이를 간단히 말하자면, 물질에 자외광이나 X선을 쬐어주어 물질 밖으로 나오는 광전자의 방출각을 변화 시키면서 운동에너지를 측정하여 물질 내의 전자상태를 구하는 방법이다.

위의 그림과 같은 방법으로 물질을 연구한다.

이론으로 예측된 결과를 검증하는 것만이 아니라, 아직은 설명되지 않은 고체의 성질을 이해하기 위해서도, 여러 가지 실험방법들이 그 실마리를 제공할 수 있는데, 특히나 중요한 것은 갖가지 저에너지 들뜸에 의한 분광학적 실험이라 할 수 있다.

그 중에서도 각도분해 광전자 분광법(ARPES)은, 중성자 비탄성 산란과 더불어 고체의 성질을 이해하기 위한 가장 중요한 방법들 중 하나라 할 수 있다.

광전자 분광법(PES)은 아인슈타인의 광전효과를 이용한 것으로, 고체의 일함수보다 큰 에너지를 가진 광자를 고체 시료에 쪼인 후 그 에너지를 흡수한 광전자가 얼마나 많이 나오는지를 에너지에 따라 재는, 즉 스펙트럼을 얻는 실험 방법을 말한다.

PES는 고체 표면에 매우 민감한 실험이다.

공기 중에 노출된 고체는 많은 불순물이 고체 표면에 달라 붙기 때문에, 우리가 원하는 시료의 스펙트럼을 얻기 위해서는 무엇보다 먼저 이러한 불순물을 제거하는 것이 필수적이고, 실험 중에는 초고진공을 유지해야 한다. 또한 고체의 표면은 그 내부와 매우 다른 전자구조를 가질 수 있기 때문에, 스펙트럼의 어느 부분이 표면에서 기인하는 것인지를 파악하는 것이 중요하다.

하지만PES가 표면에 민감하다는 단점이, 거꾸로 표면 상태를 조사하기 위해서는 가장 강력한 도구라는 장점이 된다.

모든 분광 실험은, 어떻게 하면 높은 에너지 분해능을 가지고 빠른 시간 안에 신호 대 잡음비가 높은 스펙트럼을 효율적으로 얻을 것인가가 좋은 결과를 얻는 관건이 된다.

관심을 둔 시료가 단결정이면서, 운이 좋아 거울처럼 매끈한 표면을 얻을 수 있으면, 시료에서 방출되는 광전자의 방출 각도가 잘 정의된다. 광전자의 운동에너지는 그 운동량의 제곱에 비례하고, 표면에 나란한 방향의 광전자의 운동량이 시료 안과 밖에서 보존된다는 것을 이용하면, 광전자의 운동에너지와 방출 각도로부터 시료 안에서의 표면에 나란한 방향의 전자의 운동량을 결정할 수 있다. 표면에 수직한 방향은 표면에서의 퍼텐셜 차이 때문에 곤란한 점이 있지만, 빛 에너지를 바꾸면서 스펙트럼을 얻어, 단결정의 병진 대칭을 조사하면 수직 방향의 운동량 또한 결정할 수 있다. 이처럼 광전자의 고체 안에서의 운동량을 결정할 수 있는 실험을 ARPES라고 한다.

좋은 운동량 분해능을 위해서는 좁은 각도 안의 광전자만 측정해야하는데, 보통의 동심 반구형 분석기는 10도 이상의 큰 수용각을 가지고 있다. 지난 세기말에 광전자의 방출 각도를 전자 검출기까지 그대로 유지할 수 있는 전자 렌즈가 개발되어, 분석기가 받아들인 전자 모두의 각도를 결정할 수 있게 되었다.

광전효과(PES)

<아인슈타인> <하인리히 루돌프 헤르츠>
아인슈타인은 1905년도에 발표한 광전효과에 관한 논문으로 노벨상을 수상하였다.
하지만 광전효과를 최초로 발견한 이는 헤르츠였다. 그는 1887년에 자외선을 금속판에 쪼여 주었더니 스파크(방전현상)가 일어나는 것을 확인했지만 광전현상을 규명하지 못하였다. 하지만 아인슈타인이 광젼효과를 밝혀내었다.

<광전효과>
광전효과란 특정 진동수를 가진 빛을 금속판에 쪼여주면 금속판 안에 있던 전자들이 금속판에서 떨어져 나와 운동을 하는 것을 말한다. 이때 튀어나오는 전자를 광전자라고 하며, Photon이라고 부른다.

#광전효과 실험을 통한 결과

1. 비추는 빛의 진동수가 특정한 값(한계진동수)를 넘지 않으면 빛을 아무리 세게 비추어도 전자가 방출되지 않으며, 한계진동수는 물질마다 다르다.

2. 일단 방출된 전자의 운동에너지는 빛의 세기와는 무관하며, 빛의 진동수에 비례한다.

3. 방출된 전자들의 수(전류의 세기)는 비춘 빛의 세기와 비례한다.

광전효과가 가지는 물리학적 의미는 빛이 전자기 복사에 의해 오로지 파동의 성질만을 가진다고 생각했던 당시 사람들의 인식을 깨버린 계기가 된 발견이다.

고전 물리학에서는 빛은 파동이고, 파동의 에너지는 진폭의 제곱에 비례한다. 즉, 에너지는 빛의 세기의 제곱에 비례해야 하지만 위에서 말한 실험결과 1과2를 설명해주지 못한다. 또한 한계 진동수에 미치지 못하는 빛을 아무리 세게 오랫동안 비추어도 전자가 방출되지 않지만, 한계진동수를 넘는 빛을 약하게 잠깐만 비추어도 바로 전자가 방출되어, 이러한 현상도 진폭(빛의 세기)의 제곱에 비례한다는 것으로는 설명할 수 없었다.

광전효과는 및이 파동 뿐만 아니라 광자(Photon)라고 하는 입자의 성질을 가지고 있다는 것을 보여주는 현상이다. 이를 빛의 이중성이라고도 부른다.

광전효과실험동영상

제 3의 탄소 동소체, 플러렌

( 콜로퀴엄을 듣고 플러렌이라는 단어가 나오는데, 어떤 물질인지 궁금증이 생겨서 조사하여 올립니다.)


플러렌(풀러렌, 풀러린; fullerene)은 다이아몬드, 흑연과 같은 탄소 동소체(같은 원자로 이루어져 있으나 분자식이 서로 다른 물질)이다.
플러렌 분자는 탄소 원자 60개로 구성되어 있다.
다이아몬드보다 강도가 더 높고, 고온과 고압에 강하다.
내부가 텅 빈 구조이기 때문에 다른 물질과 결합함으로써 도체나 전도체, 초전도체로 기능할 수 있으며, 안에 약을 넣어 인체의 특정 부위에 전달하는 등 나노 의학에도 활용되고 있다.







1985년 처음 발견되었는데 과학자들은 이 물질이 탄소 원자 60개로 이루어진 것은 알아냈으나, 이 60개의 원자들이 어떠한 구조로 결합되어 있는지를 알 수 없었다. 그러던 중 이들은 우연히 건축 박람회장에 갔다가 축구공처럼 오각형과 육각형으로 이루어진 조형물을 보고 영감을 얻었다.
축구공과 동일하게 12개의 오각형과 20개의 육각형을 이어붙이면 60개의 꼭지점이 생기는데 각 꼭지점에 탄소 원자 하나씩을 배열한 것이 플러렌의 구조이며, 이 가설은 후에 실험으로 입증되었다.
플러렌이라는 이름은 조형물을 제작한 미국의 건축가 벅민스터 플러에서 딴 것이다.

초기에는 헬륨가스 속에서 흑연에 레이저 광선을 쪼임으로써 플러렌을 생성했는데, 생성법이 점차 발전하여 전기와 유기용매를 이용해 럭비공 모양의 C70이나 드물게 C76, C78, C82, C90, C94, C98 등의 고차 플러렌도 얻을 수 있다.


출처
http://blog.naver.com/kwy4679?Redirect=Log&logNo=20109900761

그래핀이 만들 우리의 미래 ( 콜로퀴엄 - 전지혜 )

노벨물리학상, 그리고 그래핀

최근의 노벨물리학상을 수상한 안드레 가임, 콘스탄틴 노보셀로프가 발견한 그래핀에 대한 관심이 높아지고 있다. 그래핀 실험을 통해서 신소재를 개발할 수 있게 됐으며 이것을 이용해서 속도가 빠른 컴퓨터 제조를 가능하게 해서 전자공학의 제조 혁신을 불러 올 수 있을 것으로 전망 하고 있다.



그래핀은 탄소가 육각형 모양으로 연결 돼 있는 벌집모양의 평면구조 물질이다. 흑연과 마찬가지로 순수한 탄소로 이루어진 물질이다. 현재까지 인류가 발견한 가장 얇으면서도 튼튼한 물질로서 부드럽게 휘어지며 투명할 뿐만 아니라 전기존동성이 높아서 이것을 가지고 응용할 분야가 무궁무진하다.



특히 휘어짐은 디스플레이, 고효율 태양전지, 실리콘보다 전도율이 100배이상 높기 때문에 이를 대체할 수 있는 초고속 반도체 등이 미래사회의 판도를 바꿀 꿈의 소재로 주목을 받고 있다.



탄소원자들끼리 결합을 해서 육각형의 평면구조가 되면 그래핀이 되는 것이고 그래핀이 튜브형태로 말려 있게 되면 탄소나노튜브이고 축구공 모양이면 플러렌이 된다. 재미있는 것은 그래핀이 겹겹이 쌓여 있으면 흑연이 되며 흑연이 초고압 상태로 놓이게 되면 그래핀 층 사이에 결합이 형성되면서 다이아몬드가 됩니다.

출처 : http://blog.naver.com/frontierblog?Redirect=Log&logNo=100114257784

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* 콜로퀴엄 내용 *

1) 미래사회에 대한 전망 :
- 휴먼인터페이스 시스템의 대두
- 휴먼인터페이스 시스템 구현을 위한 원천기술의 중요성 ; 소재가 중요함
- 손목팔찌형, 돌돌 말 수 있는 인터페이스 출현
- 유연한 전극의 필요성
- 대면적 그래핀 필름의 신축성, 투명성, 전도막 형성
- 접고 늘려도 전기가 안정적으로 흐르는 그래핀
- 입는 컴퓨터

2) Graphene 이란?
- 산소나노튜브, 그래파이트, 플러린
- 어원 : Graphite + ene(이중결합을 의미) = Graphene
- sp2의 평면구조 , 다이아몬드는 sp3, 4각 8각보다 6각이 안정
- 지금의 연필보다 마찰이 없는 슬라이딩을 가져 쓸 때 부드러움을 더욱 느낄 수 있음
- 스카치 테이프 방법으로 분리, size = a few um ~ nm
- Mechanical exfoliation of Graphite Crystal
- 그래핀의 bend 구조 : Dirac Particle in 2-D : 금속성과 빠른 전자흐름의 이유
- 투명디스플레이 증가 : 인듐활용과 수급전망 하락

3) 기존 전극 및 바도체 소자의 한계
- 기존전극 : 딱딱한 산화물, 깨짐 - 그러나 그래핀으로 유연한 전자기기구현이 가능함.
- 실리콘 기반 반도체 기술의 한계 : 발열 ( 왜냐하면 전기저항 발생 )

4) 그래핀의 합성
- 흑연을 초음파 등을 이용하여 잘 분리하여 그래핀 필름을 얻음
- 화학증기증착법을 이용한 그래핀 합성 원리 :
니켈증착-가열-탄소증착-냉각-그래핀합성-니킬제거-에칭-그래핀 분리-전사-샘플완성

5) 그래핀의 특징 & 전망
- 아이폰은 손의 약한 전극을 감지하기 때문에 신체접촉을 피하는 것이 좋지만 그래핀은 Gap 이 없어서 전자기파를 모두 흡수하기 때문에 비교적 괜찮음.
- 휘어지는 메모리, 회로 만들 수 있음.
- 그래핀은 열방출물질로도 활용 (전자산업에 중요함)
- 투명히터, 면발광, 조명과 디스플레이의 경계가 사라질 것임.
- 투명한 쇼윈도우 가능. (현재 40%까지 가능 - 70%까지 끌어올릴 것임)
- OLED 는 산소와 수분에 취약함. - 그래핀으로 산소투과율을 높힐 수 있음.
- 캔이 패트병보다 수분투과율이 낮아서 맛도 좋음 : 그래핀은 식품보관기술에도 유용함.
- 구리는 20~50년 사이에 자원이 고갈될 것임
- 그래핀의 강도는 알루미늄과 비슷하지만 열전도도는 구리보다 큼. 따라서 전선으로 사용가능.


* 콜로퀴엄 사진 자료 *